稀As-InGaNAs量子阱的红光发射激光器应用
关键词: InGaNAs,能带性质,光学增益,MedeA VASP
1. 案例背景
III族氮化物半导体合金在固态照明,高速电子器件和太阳能光伏具有广泛的应用前景。InGaN合金材料用于红光发射激光二极管(LDs)仍存在许多问题。最近研究人员提出采用稀阴离子半导体(例如稀砷氮化镓)作为红光发射的替代材料。然而,目前尚缺乏关于稀As-InGaNAs合金的文献报道。因此,本案例设计基于稀As-InGaNAs合金的量子阱,并对基本电子性质进行计算,此项工作对于理解半导体在红光LDs中实现的潜力至关重要。
2. 建模与性质计算
作者通过MedeA Environment中的 InfoMaticA 数据库搜索氮化镓结构。然后通过 Supercell Builder创建GaN超晶胞,包含72个原子。采用Substitutional Search掺杂取代工具,用一个砷(As)原子替代氮(N)原子,而用4个铟(In)原子取代镓(Ga)原子。超晶胞由4个In原子、32个Ga原子,35个N原子和1个As原子组成,对应于InyGa1-yN1-xAsx合金中In和As含量分别为11.1%和2.78%。作者基于 MedeA-VASP 模块计算了合金的几何结构和电子性质,使用剪刀算符来解决由GGA近似引起的计算误差,从而得到稀As-InGaNAs合金的带隙。
3. 结果分析
3.1 几何结构
采用Substitutional Search掺杂取代工具构建不同含量合金的两种方法:(a)改变超晶胞中取代Ga原子的In原子数目,同时用1个As原子替换1个N原子,(b)变化超晶胞尺寸来改变In和As含量,此方法通过重复移动In原子将其分开,从而解决了超晶胞中的In-N团聚问题。如图1即为包含128个原子的稀As-InGaNAs超晶胞模型。作者采用 MedeA-VASP 模块优化不同含量的合金结构,用于电子性质计算和分析。
图1稀As-InGaNAs超晶胞图示,其中包含128个原子,As含量为1.56%
3.2 性质分析
In和As含量分别高达20.3%和3.13%时的稀As-InGaNAs合金带隙,如图2所示。与传统的InGaN材料相比,As含量为1.56%的InGaNAs合金带隙减小。当砷含量增加到3.13%时将进一步减小,甚至降到1.9 eV。InGaNAs合金带隙的急剧减小来自于In原子对InGaN体系价带的强烈影响,以及约20%的In含量对导电性和价态的影响。
图2稀砷As-InGaNAs合金带隙与In含量的关系以及与InGaN的比较
图3给出载流子浓度n=1x1019cm-3时30Å的In0.19Ga0.81N0.97As0.03/GaN QW能带谱图。与常规InGaN QW相似,在ΓC1-HH1 = 17.5%电子-空穴波函数重叠。然而,稀As-InGaNAs QW在跃迁能量表现出明显的红移时低至1.88 eV,因此可以应用适当的QW设计来解决低ΓC1-HH1的问题。
图3 30Å 的In0.19Ga0.81N0.97As0.03/GaN QW的能带排列以及电子和空穴波函数
图4显示了30Å的In0.19Ga0.81N0.97As0.03/GaN QW和常规30Å In0.19Ga0.81N/GaN QW的光学增益特性,其中载流子密度为分别从n = 1-8 x 1019 cm-3和n = 1-5 x 1019 cm-3变化。与传统的InGaN QW相比,新型稀As-InGaNAs QW的光学增益谱有明显的红移,且在更高的载流子密度下具有可比的光学增益值。因此,提出了与常规InGaN QW相比,在增加电子-空穴波函数重叠方面的改进和其他设计方面的建议。
图4 30Å的In0.19Ga0.81N0.97As0.03/GaN QW和常规30Å 的In0.19Ga0.81N/GaN QW的光学增益特性,其载流子密度分别为在n = 1-8 x 1019 cm-3和n = 1-5 x 1019 cm-3。
4.总结
作者采用 MedeA-VASP模块对对In含量高达〜20%且As含量达〜3%的稀As-InGaNAs半导体的光学性能进行了DFT计算。研究揭示了将微量As杂质(〜3%)掺入InGaN(In〜20%)体系中,发射波长出现了明显的红移,保留直接带隙半导体性质。此外,分析了30 Å In0.19Ga0.81N0.97As0.03/GaN QW的能带排列,光学增益特性和自发发射率特性,并与传统的30 Å In0.19Ga0.81N/GaN QW体系进行比较。提出稀As-InGaNAs可以用作未来红光二极管激光器的有源区材料。
参考文献:
Damir Borovac, et al., 2018 IEEE Photonics Conference (IPC)
使用MedeA模块:
MedeA-InfoMaticA
MedeA-VASP