随着半导体领域的技术革新，以“超窄/超宽带隙”为特征的第四代半导体逐渐进入人们的视野，其中具有超宽带隙的Ga₂O₃及其同类材料（InGaO、AlInGaO、BGaO等）由于其优异的性能和广阔的应用前景，正在成为一项新的研究热点。

我们将于1月18日10:00-11:00举办以超宽带隙半导体材料第一性原理研究为主题的原厂报告，由Materials Design专家为大家介绍如何借助VASP软件可以探索Ga2O3类材料的结构和电子性质，并对金属-半导体界面处肖特基势垒高度（SBH）进行定量计算和分析。欢迎大家报名参与！

报告信息

报告时间：2024年1月18日10:00-11:00

报告题目：超宽带隙半导体材料第一性原理研究

报告人：刘晓莉博士（Materials Design）

本科及硕士毕业于重庆大学，博士毕业于美国克拉克森大学。攻读博士期间专注于利用DFT计算方法探索宽禁带氧化物半导体材料性能及其在电力电子及光电器件中的应用。刘博士已发表共15余篇论文及参与多个会议报告，并曾获得IEEE Photonics Conference“最具潜力年轻女科学家”荣誉及克拉克森大学年度研究生奖。刘博士现在Materials Design 公司担任应用科学家，致力于为MedeA用户提供技术支持并参与公司研究项目。

报告方式：线上直播，免费

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